如今，中国正在各个半导体领域切入自己的力量，破除国外垄断，包括CPU微处理器、NAND闪存、OLED屏幕面板等等，DRAM内存也是时候了。

中国芯片设计公司近日发布公告，宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司(简称合肥产投)于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》。

双方约定，将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展300mm晶圆(12英寸)、19nm工艺存储器的研发项目，包括DRAM内存颗粒。

项目总预算约为180亿元人民币，双方产投按照1:4的比例负责筹集。

合作目标是在2018年12月31日前研发成功，实现产品良率(测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例)不低于10％。

不过芯片设计方强调，本项目研发阶段设计产能较小，为2000-3000片晶圆每月，尚无法达到批量生产标准，而且中国大陆目前无DRAM产业技术积累，再加上人才引进、知识产权和设备进口等因素影响，研发能否成功存在不确定性。

即使研发成功，良率能否提升、量产能否实现，也仍然存在较大不确定性，从研发成功至量产并形成销售需要长达几年时间。

研发成功后，双方将就提升良率、扩大产能进行进一步探讨。

目前，三星DRAM已大规模采用20nm工艺，并率先量产18nm工艺。SK海力士则以25nm工艺为主，已导入21nm工艺。美光目前以30nm工艺为主，20nm工艺进入良率提升阶段。